来源|参考消息网

IBM宣布推出全球首个2nm芯片制造技术引起了大家的注意。与7nm的技术相比，预计将带来45%的性能提升或75%的能耗降低，而比起当前最尖端的5nm芯片，2nm芯片的体积更小、速度更快。

从IBM的表述意味着：手机的电池寿命延长3倍、用户只充电一次可以用4天、为碳中和做出贡献、互联网体验更好、赋能自动驾驶、缩短响应时间…….

据悉，台积电的5nm芯片每平方毫米约有1.73亿个晶体管，三星的5nm芯片每平方毫米约有1.27亿个晶体管。而IBM新型2nm芯片每平方毫米有大约3.33亿个晶体管，密度达到了台积电5nm的2倍。

IBM表示，其采用2nm工艺制造的测试芯片采用纳米片堆叠的晶体管，所制成的3层GAA纳米片首次使用底部电介质隔离，能够实现12nm的栅极长度，减少电流泄漏，有助于减少芯片上的功耗。

图说（IBM新型2nm芯片内晶体管示意图。）

该芯片另一个新技术就是IBM提出的内部空间干燥工艺，这有助于实现纳米片的开发。该芯片广泛地使用EUV技术，例如在芯片过程的前端进行EUV图案化，不仅是在中间和后端。而这样的技术最终可以让制造2nm芯片所需的步骤比7nm少得多，能促进整个晶圆厂的发展，也可能降低部分成品晶圆的成本。

最后，2nm晶体管的阈值电压（上表中的Vt）可以根据需要增大和减小，例如，用于手持设备的电压较低，而用于百亿超级计算机的CPU的电压较高，但IBM并未透露这种2nm技术是否会采用硅锗通道。

IBM宣布推出全球首个2nm芯片制造技术引起了大家的注意。与7nm的技术相比，预计将带来45%的性能提升或75%的能耗降低，而比起当前最尖端的5nm芯片，2nm芯片的体积更小、速度更快。

从IBM的表述意味着：手机的电池寿命延长3倍、用户只充电一次可以用4天、为碳中和做出贡献、互联网体验更好、赋能自动驾驶、缩短响应时间…….

据悉，台积电的5nm芯片每平方毫米约有1.73亿个晶体管，三星的5nm芯片每平方毫米约有1.27亿个晶体管。而IBM新型2nm芯片每平方毫米有大约3.33亿个晶体管，密度达到了台积电5nm的2倍。

IBM表示，其采用2nm工艺制造的测试芯片采用纳米片堆叠的晶体管，所制成的3层GAA纳米片首次使用底部电介质隔离，能够实现12nm的栅极长度，减少电流泄漏，有助于减少芯片上的功耗。

图说（IBM新型2nm芯片内晶体管示意图。）

该芯片另一个新技术就是IBM提出的内部空间干燥工艺，这有助于实现纳米片的开发。该芯片广泛地使用EUV技术，例如在芯片过程的前端进行EUV图案化，不仅是在中间和后端。而这样的技术最终可以让制造2nm芯片所需的步骤比7nm少得多，能促进整个晶圆厂的发展，也可能降低部分成品晶圆的成本。

最后，2nm晶体管的阈值电压（上表中的Vt）可以根据需要增大和减小，例如，用于手持设备的电压较低，而用于百亿超级计算机的CPU的电压较高，但IBM并未透露这种2nm技术是否会采用硅锗通道。

IBM宣布推出全球首个2nm芯片制造技术引起了大家的注意。与7nm的技术相比，预计将带来45%的性能提升或75%的能耗降低，而比起当前最尖端的5nm芯片，2nm芯片的体积更小、速度更快。

从IBM的表述意味着：手机的电池寿命延长3倍、用户只充电一次可以用4天、为碳中和做出贡献、互联网体验更好、赋能自动驾驶、缩短响应时间…….

据悉，台积电的5nm芯片每平方毫米约有1.73亿个晶体管，三星的5nm芯片每平方毫米约有1.27亿个晶体管。而IBM新型2nm芯片每平方毫米有大约3.33亿个晶体管，密度达到了台积电5nm的2倍。

IBM表示，其采用2nm工艺制造的测试芯片采用纳米片堆叠的晶体管，所制成的3层GAA纳米片首次使用底部电介质隔离，能够实现12nm的栅极长度，减少电流泄漏，有助于减少芯片上的功耗。

图说（IBM新型2nm芯片内晶体管示意图。）

该芯片另一个新技术就是IBM提出的内部空间干燥工艺，这有助于实现纳米片的开发。该芯片广泛地使用EUV技术，例如在芯片过程的前端进行EUV图案化，不仅是在中间和后端。而这样的技术最终可以让制造2nm芯片所需的步骤比7nm少得多，能促进整个晶圆厂的发展，也可能降低部分成品晶圆的成本。

最后，2nm晶体管的阈值电压（上表中的Vt）可以根据需要增大和减小，例如，用于手持设备的电压较低，而用于百亿超级计算机的CPU的电压较高，但IBM并未透露这种2nm技术是否会采用硅锗通道。